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N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON)

Bychip

百域芯

OptiMOS-T2 Power-Transistor

文件:168.5 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-10-16 10:48:01
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