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PCGA200T65NF8M

650 V, 200 A Field Stop Trench IGBT with Solderable Top Metal

Features • AEC−Q101 Qualified • Maximum Junction Temperature 175C • Positive Temperature Coefficient • Easy Paralleling • Short Circuit Rated • Very Low Saturation Voltage: VCE(SAT) = 1.53 V(Typ.) @ IC = 200 A • Optimized for Motor Control Applications • Emitter Pad Covered with Solderabl

ONSEMI

安森美半导体

IGBT 650 V,200 A 场截止 Trench Gen3 (FS3) 裸片,带可焊接顶层金属可与 PCRKA20065F8M1 配对

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-10-16 18:19:00
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