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PCFA86361

Power MOSFET, N-Channel, 80 V, 1.25 mΩ, Bare Die

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET ??Power, N-Channel 80 V, 1.25 m

Features • Typical RDS(on) = 1.0 m at VGS = 10 V • Typical Qg(tot) = 172 nC at VGS = 10 V • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-26 23:01:00
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