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PC3M0060065L	包装：管件描述：650V MOSFET 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.
C3M0060065D	SiCN-ChannelMOSFET FEATURES ·HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·EasytoParallelandSimpletoDrive APPLICATIONS ·SolarInverters ·SwitchModePowerSupplies ·High-voltageCapacitiveLoads ·Motordrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
C3M0060065D	SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode Features •3rdGenerationSiCMOSFETtechnology •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •Highspeedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qrr) •Halogenfree,RoHScompliant Benefits •Highersystemefficiency •Reducedcoolingrequiremen	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.
C3M0060065J	SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode Features •3rdGenerationSiCMOSFETtechnology •Lowinductancepackagewithdriversourcepin •7mmofcreepagedistancebetweendrainandsource •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •Highspeedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qr	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.
C3M0060065D	SiliconCarbidePowerMOSFET 文件：1.10987 Mbytes Page：11 Pages	CreeCree, Inc 科锐
C3M0060065J	SiliconCarbidePowerMOSFET 文件：1.22437 Mbytes Page：11 Pages	CreeCree, Inc 科锐

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更新时间：2025-5-17 23:00:00

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在33887是一个单片电路H型桥电源IC，具有负载电流反馈功能非常适用于闭环直流电动机控制。该IC集成内部控制逻辑，电荷泵，门极驱动器，低RDS（ON）的MOSFET输出电路。在33887能够控制连续感性负载直流负载电流高达5.0A，并积极与峰值电流限制之间5.2和7.8答：可输出负载脉冲宽度调制（PWM-ED镜头）在频率可达10千赫。负载电流反馈的功能提供了比例（与负载电流1/375th）恒流输出适合监测由单片机？？的A/D输入。此功能方便的设计闭环转矩/速度控制以及开路负载检测。故障状态输出端报告欠压，短路，和过热的条件。两个独立的输入提供极性控制两个半桥式图腾柱输出。两个禁用投
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PC33888APNB-四高边和八路汽车的低边开关
33888是一个功率芯片的单封装四个结合分立式高边MOSFET（2个10米惟和两个40米长的惟）和集成IC控制模具组成的8个低边驱动器（惟每600米）适当的控制，保护和诊断功能。编程，控制和诊断，通过16位SPI接口。此外，每个高边输出都有它自己的并行输入脉宽调制（PWM）控制，如果需要的话。低双方共享一个配置的直接输入。33888是两个功率封装。特点*双10米惟高侧，双40米惟高边600米，八惟低端*全部工作电压6.0V27V*SPI控制的高侧的过流限制，高压侧电流检测，开路负载检测输出OFF，ON/OFF控
2012-11-12

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