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IC FLASH 512M PARALLEL 64EASYBGA

Micron

美光

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm)

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Micron

美光

封装/外壳:64-TBGA 包装:托盘 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA 集成电路(IC) 存储器

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知名厂家

封装/外壳:64-LBGA 包装:托盘 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64LBGA 集成电路(IC) 存储器

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Micron J3/P30/P33 Parallel NOR

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MLC 512M X16 TBGA

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Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm)

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Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm)

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Micron

美光

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm)

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美光

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm)

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Micron

美光

更新时间:2025-12-27 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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  • PC28F256P33BFE

    进口代理

    2024-1-19
  • PC28F320J3D75 Micron

    www.hfxcom.com

    2021-11-15
  • PC28F512M29EWHA全新原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商

    2019-8-12
  • PC30H06V0-2LDR3004ZW-12-14-L-T-1015-235MS27735-27Honeywell优势库存欢迎询价

    PC30H06V0-2LDR3004 ZW-12-14-L-T-1015-235 MS27735-27 Honeywell 优势库存 欢迎询价

    2019-2-26
  • PC302-HSC 原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式全套配单服务 0755-23140719/15323480719(微信同号)李s

    2019-2-19
  • PC33253DW-全桥预驱动器

    MC33253是一个完整的桥式驱动器,包括综合费用泵,两个独立的高端和低端驱动器通道。高和低边驱动器包括一个交叉传导抑制电路,如果启用,可以防止在外部功率FET在同一时间。该驱动器输出的有能力的源和汇一峰一脉电流。偏低的渠道是参照地上,偏高地面通道是浮在上面。线性稳压器提供了最大的15.5V的低供应边栅极驱动阶段。高边驱动器提供一个阶段10V的电荷泵电压。这种内置的功能,相关的外部电容提供了一个全浮式高边驱动。一个主管和过电压保护系统防止不稳定在电源电压不正常运作。在故障,这些功能力进入关闭状态的驱动级。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL兼容输出。输入滞后,使输出的开关时间独立的输入转换时间。

    2013-2-7