40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4240Z Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capabilit

40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

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封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PNP 40V 2A SOT223 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

40 V; 2 A PNP low VCEsat transistor

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PNP 40V 2A SOT223 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

DIP Clips for 8-14-16-20-24-40 Pin Clips And 8 Through 40 Pin DIP Removers

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BATTERY CONTACTS FOR MOLDED CASES

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5200 Series - Hash Choke

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