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PBSS4232DD_L2_00001

NPN Low Vce(sat) Transistor

Features  Silicon NPN epitaxial type  Low Vce(sat) 0.8V(max)@Ic/Ib= 2A / 200mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in comply with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC61249 Standard

PANJIT

強茂

PBSS4232DD_L2_00001

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 32V 2A TO252 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

更新时间:2025-10-17 11:20:00
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