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PBSS4140SH_R1_00001

NPN Low VCE(SAT) Transistor

Features  Silicon NPN epitaxial type  Low VCE(SAT) 0.25V(max)@IC/IB= 1A / 100mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  PNP complement : PBSS5140SH  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC61249 Standard

PANJIT

強茂

更新时间:2025-11-18 11:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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