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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
02N120	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistributi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IXTP02N120P	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=0.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedfo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTY02N120P	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTP02N120P	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated 文件：134.57 Kbytes Page：4 Pages	IXYS IXYS Corporation
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PBF02N120N供应商更多...

更新时间：2025-7-30 11:37:01

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2021-11-2
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2021-4-27
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