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02N120	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 40lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter - SMPS • NPT-Technology offers: - very tight parameter distributi	Infineon 英飞凌	Infineon
IXTP02N120P	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 0.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 75Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed fo	ISC 无锡固电	ISC
IXTY02N120P	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=0.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =75Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.	ISC 无锡固电	ISC
IXTP02N120P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：134.57 Kbytes Page：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTY02N120P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：134.57 Kbytes Page：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

PBF02N120N供应商更多...

更新时间：2025-10-17 11:06:01

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PBSS4041PZ SOT-223 NXP/恩智浦双极结型晶体管全新原装正品现货
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