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P8F28HP2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 280V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.5Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

ISC

无锡固电

P8F28HP2

Power MOSFETs THD

SHINDENGEN

P8F28HP2

Power MOSFETs 280V, 8A, N-channel

文件:2.11899 Mbytes Page:8 Pages

SHINDENGEN

更新时间:2025-10-17 17:26:00
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