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P82F7R5SN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=82A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
P82F7R5SN

PowerMOSFET

文件:1.0579 Mbytes Page:4 Pages

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SHINDENGEN
更新时间:2025-7-22 13:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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