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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The MSC81111 is Designed for Class C Amplifier Applicatioons from 0.4 to 1.2 GHz, Supplied in Common Base Package.

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RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

DESCRIPTION The MSC81111 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave transistor utilizing a fishbone emitter ballasted geometry with a refractory/gold metallization system. This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under rated rated conditions.

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更新时间:2025-10-15 20:00:01
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