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P80FH5ENK

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.8mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

P80FH5ENK

Power MOSFETs SMD

SHINDENGEN

P80FH5ENK

Power MOSFET

文件:456.57 Kbytes Page:4 Pages

SHINDENGEN

更新时间:2025-10-15 18:59:00
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