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P80FG6EAL

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =4.9mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

P80FG6EAL

MOSFET

SHINDENGEN

P80FG6EAL

Power MOSFET

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SHINDENGEN

更新时间:2025-10-15 18:59:00
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