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N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.3 A Max220/Max220I PowerMesh??MOSFET

DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprieraty edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.3 A Max220/Max220I PowerMesh??MOSFET

DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprieraty edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-10-16 11:52:01
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