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P7F60HP2

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.05Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
P7F60HP2

PowerMOSFET

文件:183.62 Kbytes Page:4 Pages

SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD

新电元(上海)电器有限公司

SHINDENGEN
更新时间:2024-6-17 18:30:00
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