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N-CHANNEL250V-0.9ohm-6ATO-220MESHOVERLAY??MOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformance.ThenewpatentedSTriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,makesitsuitableincovertersforli

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2025-5-29 23:01:01
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