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P60B6EN

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8.0mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

P60B6EN

Power MOSFET

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SHINDENGEN

P60B6EN

Power MOSFETs SMD

SHINDENGEN

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 6.7mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

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DOINGTER

杜因特

Power MOSFET

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SHINDENGEN

更新时间:2025-12-27 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SHINDENGEN/新电元
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SMD
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NTC热敏电阻MINIBEADINGLASS0.125mm+/-5%
SHINDENGEN/新电元
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TO-252
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SHINDENGEN/新电元
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