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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

DESCRIPTION This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized cell layout coupled with a new proprietary edge termination concur to give the device low RDS(on) and gate charge, unequalled ruggedness and superior switching performance. ■ TYPICAL RDS(

STMICROELECTRONICS

意法半导体

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更新时间:2025-10-15 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
1099
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ST
1922+
TO-220F
27
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST
20+
220-220F
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST
23+
TO-220
16900
正规渠道,只有原装!
STM
23+
NA
146
专做原装正品,假一罚百!
ST/意法
23+
TO-220F
65000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
ST/进口原
17+
TO-220F
6200
SST
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
24+
8866
ST
24+
TO-220
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理

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