| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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P5F50HP2 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.6Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv | ISC 无锡固电 |   | |
P5F50HP2 | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：979.56 Kbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | | |
P5F50HP2 | Power MOSFETs THD | SHINDENGEN | | |
P5F50HP2 | Power MOSFET 文件：182.34 Kbytes Page：4 Pages | SHINDENGEN | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.65Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFETs 500V, 5A, N-channel 文件：1.67801 Mbytes Page：8 Pages | SHINDENGEN | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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P5F50HP2规格书下载地址
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瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式全套配单服务 0755-23140719/15323480719(微信同号）李s
2019-2-19
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