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P55F6EN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
P55F6EN

PowerMOSFET

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SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SHINDENGEN
P55F6EN

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:1.18903 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
更新时间:2025-7-5 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NIKO
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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ApexToolGroup/CooperTool
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NIKO-SEM/尼克森
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NIKO
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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