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P5515BD

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NIKOSEM

尼克森

P5515BD

MOSFET

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P5515BD

Power MOSFET

NIKOSEM

尼克森

High Current RF Chokes

Special Features • Very high current capacity • Low DCR • Ferrite core • VW-1 rated shrink tubing to cover winding • Fixed lead spacing • Operating temperature -55 to +105°C • Current to cause 5 maximum inductance drop or 35°C maximum temperature rise

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MALLORY

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POMONA

Pomona Electronics

High Current Chokes

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Bourns

伯恩斯

更新时间:2025-12-27 14:32:00
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