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P54B4SN

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=54A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 6.3mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

P54B4SN

MOSFET

SHINDENGEN

P54B4SN

Power MOSFETs 40V, 54A, N-channel

文件:1.655 Mbytes Page:7 Pages

SHINDENGEN

更新时间:2025-9-28 14:01:00
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