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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =49mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

200V N-Channel MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

200V N-Channel MOSFET

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Fairchild

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仙童半导体

更新时间:2025-12-22 10:00:01
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