| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
P4B40HP2 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.9Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv | ISC 无锡固电 |   | |
P4B40HP2 | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.28079 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | | |
P4B40HP2 | Power MOSFETs SMD | SHINDENGEN | | |
P4B40HP2 | Power MOSFET 文件：180 Kbytes Page：4 Pages | SHINDENGEN | |
更新时间：2025-10-15 15:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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