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P4B40HP2

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
P4B40HP2

PowerMOSFET

文件:180 Kbytes Page:4 Pages

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SHINDENGEN
P4B40HP2

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:1.28079 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
更新时间:2025-5-17 15:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SHINDENGEN/新电元
2022+
TO-252
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
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