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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
40N10	40A mps,100 Volts N-CHANNEL MOSFET FEATURE ● 40A, 100V, RDS(ON) = 40mΩ @VGS=10V/20A ● Low gate charge ● Low Ciss ● Fast switching ● 100 avalanche tested ● Improved dv/dt capability	CHONGQING 平伟实业	CHONGQING
40N10	Fast Switching FEATURES • Drain Current ID= 40A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.04Ω(Max) • Fast Switching APPLICATIONS • Switching power supplies,converters, AC and DC motor controls	ISC 无锡固电	ISC
40N10B	40A mps,100 Volts N-CHANNEL MOSFET FEATURE ● 40A, 100V, RDS(ON) = 40mΩ @VGS=10V/20A ● Low gate charge ● Low Ciss ● Fast switching ● 100 avalanche tested ● Improved dv/dt capability	CHONGQING 平伟实业	CHONGQING
40N10F	40A mps,100 Volts N-CHANNEL MOSFET FEATURE ● 40A, 100V, RDS(ON) = 40mΩ @VGS=10V/20A ● Low gate charge ● Low Ciss ● Fast switching ● 100 avalanche tested ● Improved dv/dt capability	CHONGQING 平伟实业	CHONGQING
40N10	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：983.6 Kbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

P40N10FI供应商更多...

更新时间：2025-10-16 22:59:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	40N120IGBT	JDP	24+	NA/	350	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	40N10E	ON/安森美	24+	TO-263	8540	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
深圳市威雅利发展有限公司	40N10DF	RENESAS	17+	TO-263	6400	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	40N120FL3	ON	23+	TO-247	150	正规渠道,只有原装!	询价
深圳市一线半导体有限公司	40N1202		24+		8866		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	40N10E	ON/安森美	23+	TO-263	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市芯皇电子有限公司	40N10DF	RENESAS/瑞萨	23+	TO-263	66600	专业芯片配单原装正品假一罚十	询价
深圳市诺美思科技有限公司	40N10DF	RENESAS		原厂封装	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	40N120	FSC	2023+	TO-264	50000	现货特价	询价
深圳诚思涵科技有限公司	40N120	FSC	18+	TO-3P	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价

P3A9606JKZ
P3A9606JKZ
2024-2-22
P4SMA10CA
P4SMA10CA
2023-5-15
P412W，P413，P413W，P414，P414W，P415，P415W，P421
P412W，P413，P413W，P414，P414W，P415，P415W，P421
2020-3-3
P540A，P540A01，P540A02，P540A04，P540C0101，P540C0102，
P540A，P540A01，P540A02，P540A04，P540C0101，P540C0102，
2020-3-2
P4010S
P4010S，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-15
P35-4304-000-200-模拟杂项
特点 ·宽带0.5 - 16GHz的 ·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的 ·衰减0.5dB步进到31.5分贝 ·开关速度快 ·通过提高性能的砷化镓过孔 P35 -4304-000 -200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信，仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线，实现全衰减范围组合。模具制造，使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程（S20）。它是完全
2012-12-20