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40N03	Low Gate Charge Simple Drive Requirement Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is widely preferred for all commercial-industrial applications and suited for low voltage applica	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
40N03	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Power MOSFETs from Silicon Standardprovide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is widelypreferred for commercialand industrial applications and suited for low voltage applications su	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
40N03.	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Gen III Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • DC/DC Conversion - System Power	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
40N03	Fast Switching Characteristic 文件：56.65 Kbytes Page：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
40N03	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.97 Kbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

P40N03LDG供应商更多...

更新时间：2025-10-16 9:48:01

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2024-2-22
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2023-5-15
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2020-3-3
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2020-3-2
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P4010S，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-15
P35-4304-000-200-模拟杂项
特点 ·宽带0.5 - 16GHz的 ·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的 ·衰减0.5dB步进到31.5分贝 ·开关速度快 ·通过提高性能的砷化镓过孔 P35 -4304-000 -200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信，仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线，实现全衰减范围组合。模具制造，使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程（S20）。它是完全
2012-12-20