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P40N03L-20

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ?쓀LTRA HIGH DENSITY??POWER MOS TRANSISTOR

■ TYPICAL RDS(on) = 0.016 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175oC OPERATING TEMPERATURE ■ HIGH dV/dt CAPABILITY ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLICATIONS ■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING ■ POWER MOTOR CONTROL ■ DC-DC & D

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-8-14 23:01:00
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