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P40F12SN

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 11.9mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

P40F12SN

Power MOSFETs THD

SHINDENGEN

P40F12SN

Power MOSFET

文件:264.95 Kbytes Page:4 Pages

SHINDENGEN

更新时间:2025-10-16 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BOURNS/伯恩斯
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