| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • 5µs SCSOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM ① • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode • Tighter Distribution of Parameters • Lead-Free, RoHS Compliant • Aut | IRF |   | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • 5µs SCSOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM ① • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode • Tighter Distribution of Parameters • Lead-Free, RoHS Compliant • Aut | IRF | | ||
JST PH 4-Pin Socket to Color Coded Cable - 200mm 文件：1.30238 Mbytes Page：4 Pages | Adafruit | | ||
800 TO 4000 MHz TO-8 CASCADABLE AMPLIFIER 文件：179.68 Kbytes Page：2 Pages | TELEDYNE 华特力科 | | ||
STM32F3 series in-application programming 文件：391.96 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
14+ |
TO-252 |
3040 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IR |
24+ |
TO-252 |
3040 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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IR |
24+ |
NA/ |
13365 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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IR |
25+ |
TO-252 |
10115 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
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IR |
24+ |
TO-252 |
60000 |
全新原装现货 |
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Infineon Technologies |
21+ |
TO-252AA |
3000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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Infineon |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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2020-3-3P540A，P540A01，P540A02，P540A04，P540C0101，P540C0102，
P540A，P540A01，P540A02，P540A04，P540C0101，P540C0102，
2020-3-2P4010S
P4010S，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-15P35-4304-000-200-模拟杂项
特点 ·宽带0.5 - 16GHz的 ·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的 ·衰减0.5dB步进到31.5分贝 ·开关速度快 ·通过提高性能的砷化镓过孔 P35 -4304-000 -200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信，仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线，实现全衰减范围组合。模具制造，使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程（S20）。它是完全
2012-12-20
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