位置：首页 > IC中文资料第9365页 > P3G08
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Pch-40V-80APowerMOSFET Features Lowon-resistance Pd-freeplating;RoHScompliant 100%Avalanchetested AEC-Q101qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 |  |   | |
Nch40V80APowerMOSFET Features Lowon-resistance Pd-freeplating;RoHScompliant 100%Avalanchetested AEC-Q101qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | | | |
Nch40V80APowerMOSFET Features Lowon-resistance Pd-freeplating;RoHScompliant 100%Avalanchetested AEC-Q101qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | | | |
RectifierDiodes RectifierDiodes Applications •Generalpurposerectifierdiodesforhighqualityrequirement •Forprintedcircuitboardmounting | SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯 |  | |
P3G08产品属性
- 类型
描述
- 型号
P3G08
- 制造商
Omron Electronic Components LLC
- 功能描述
Conn Timer Socket SKT 8 POS Solder ST SMD
- 制造商
OMRON AUTOMATION AND SAFETY
- 功能描述
SOCKET 8 PIN OCTAL CHASSIS MNT
- 制造商
OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- 功能描述
Conn Timer Socket SKT 8 POS Solder ST SMD
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
原装正品支持实单 |
|||
ROHM/罗姆 |
24+ |
TO-252 |
17782 |
原装正品现货库存假一赔十欢迎询价 |
|||
ROHM |
1844+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
ROHM/罗姆 |
23+ |
DPAKTO-252 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
ROHM/罗姆 |
23+ |
DPAKTO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ROHM(罗姆) |
2447 |
TO-252 |
115000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
2860 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
Rohm(罗姆) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ROHM/罗姆 |
23+ |
TO-252 |
360000 |
交期准时服务周到 |
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2020-3-3P3403ACL全新原装现货
随时可发货
2019-9-17P4010S
P4010S，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-15P35-4304-000-200-模拟杂项
特点·宽带0.5-16GHz的·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的·衰减0.5dB步进到31.5分贝·开关速度快·通过提高性能的砷化镓过孔P35-4304-000-200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信，仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线，实现全衰减范围组合。模具制造，使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程（S20）。它是完全
2012-12-20
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