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P3FH90VX3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
P3FH90VX3

PowerMOSFETs900V,3A,N-channel

文件:1.79677 Mbytes Page:7 Pages

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SHINDENGEN
更新时间:2025-5-15 11:16:00
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