| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
P3710BV | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：227.33 Kbytes Page：4 Pages | NIKOSEM 尼克森 |   | |
P3710BV | N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：469.69 Kbytes Page：5 Pages | UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司 | | |
P3710BV | MOSFETs | UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司 | | |
P3710BV | Power MOSFET | NIKOSEM 尼克森 | | |
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed | AnalogPower | | ||
General Purpose Packaging Tape 文件：14.65 Kbytes Page：2 Pages | 3M | | ||
Nytye®Mounting Platforms 文件：241.29 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | | ||
Secondary Side Synchronous Post Regulator 文件：226.91 Kbytes Page：12 Pages | LINER 凌力尔特 | | ||
59A100V N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 文件：278.19 Kbytes Page：7 Pages | KIA 可易亚半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2019-11-26P3403ACL全新原装现货
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2019-9-15P35-4304-000-200-模拟杂项
特点 ·宽带0.5 - 16GHz的 ·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的 ·衰减0.5dB步进到31.5分贝 ·开关速度快 ·通过提高性能的砷化镓过孔 P35 -4304-000 -200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信，仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线，实现全衰减范围组合。模具制造，使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程（S20）。它是完全
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