型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 350V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.25Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current :ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 350V(Min) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 21A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 350V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.25Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

Micropower, High Accuracy

文件:862.87 Kbytes Page:20 Pages

AD

亚德诺

Micropower, High Accuracy

文件:862.87 Kbytes Page:20 Pages

AD

亚德诺

P3525S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    P3525S

  • 制造商

    Pentair Technical Products/Hoffman

  • 功能描述

    PANEL CONDUCTIVE , 0.00x0.00x0.00, Zinc

更新时间:2025-10-15 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
APT
25+
TO-3P
694
原装正品,欢迎来电咨询!
Microch
20+
NA
33560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
APT
23+
TO247
29024
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
APT
24+
TO-247-3
8866
IXFN
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
Microsemi Corporation
22+
SOT227
9000
原厂渠道,现货配单
APT
23+
TO-247
7300
专注配单,只做原装进口现货
MICROSEMI
638
原装正品
Microsemi
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
Microsemi Corporation
25+
SOT-227-4 miniBLOC
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

P3525S数据表相关新闻

  • P3A9606JKZ

    P3A9606JKZ

    2024-2-22
  • P3100SALRP

    P3100SALRP

    2023-5-29
  • P3232EENSP3232E贴片SOP-16USB转232串口芯片

    P3232EENSP3232E贴片SOP-16USB转232串口芯片

    2019-11-26
  • P3403ACL全新原装现货

    随时可发货

    2019-9-17
  • P4010S

    P4010S,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-15
  • P35-4304-000-200-模拟杂项

    特点 ·宽带0.5 - 16GHz的 ·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的 ·衰减0.5dB步进到31.5分贝 ·开关速度快 ·通过提高性能的砷化镓过孔 P35 -4304-000 -200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信,仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线,实现全衰减范围组合。模具制造,使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程(S20)。它是完全

    2012-12-20