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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
P3506ES	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-41A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
P3506ES	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor 文件：216.33 Kbytes Page：4 Pages	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司
3506	ACaxialcompactfan Generaldescription ACvoltagefanwithexternalrotorshaded-polemotor.Protectedfromoverloadbyimpedanceprotection. Fanhousingandfanimpellermadeofmetal. Airexhaustoverbars.Rotationaldirectionclockwiselookingatrotor. Electricalconnectionto2singlestrands.Strandends	EBMPAPSTebm-papst 依必安派特依必安派特公司
3506	200V-1,000VThreePhaseBridge40.0A-60.0AForwardCurrent70ns-3000nsRecoveryTime 40.0A-60.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	VMI Voltage Multipliers Inc.
3506	TUBEAXIAL 文件：423.43 Kbytes Page：1 Pages	EBMPAPSTebm-papst 依必安派特依必安派特公司
3506	DualMonolithic1.6AStep-DownSwitchingRegulator 文件：679.81 Kbytes Page：24 Pages	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体
3506A	DualMonolithic1.6AStep-DownSwitchingRegulator 文件：679.81 Kbytes Page：24 Pages	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体

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更新时间：2025-5-18 16:20:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
标准国际(香港)有限公司	P35-0702T	P35-0702T		1552	1552		询价
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司	P3506ETF	Microchip/微芯	25+		30000	原装正品,现货优势	询价
深圳硅原半导体有限公司	P35-111-1FD9	S-TECH	2022+	RJ45	90000	原厂原盒现货,年底清仓大特价!送	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	P3506ES	NIKOS	23+	TO-263	60000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	P35-100ST		24+	N/A	58000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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P3A9606JKZ
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2024-2-22
P3100SALRP
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2023-5-29
P3232EENSP3232E贴片SOP-16USB转232串口芯片
P3232EENSP3232E贴片SOP-16USB转232串口芯片
2019-11-26
P3403ACL全新原装现货
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2019-9-17
P4010S
P4010S，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-15
P35-4304-000-200-模拟杂项
特点·宽带0.5-16GHz的·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的·衰减0.5dB步进到31.5分贝·开关速度快·通过提高性能的砷化镓过孔P35-4304-000-200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信，仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线，实现全衰减范围组合。模具制造，使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程（S20）。它是完全
2012-12-20