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P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter

VBSEMI

微碧半导体

Silicon Ping Diode

This device is designed primarily for VHF band switching applications but is also suitable for use in general–purpose switching circuits. Supplied in a Surface Mount package. • Rugged PIN Structure Coupled with Wirebond Construction for Optimum Reliability • Low Capacitance – 0.7 pF Typ at VR =

LRC

乐山无线电

30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

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LRC

乐山无线电

Silicon Pin Diode

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ONSEMI

安森美半导体

30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

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LRC

乐山无线电

更新时间:2025-10-17 11:20:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    特点 ·宽带0.5 - 16GHz的 ·低插入损耗;4分贝的典型值在8GHz的 ·衰减0.5dB步进到31.5分贝 ·开关速度快 ·通过提高性能的砷化镓过孔 P35 -4304-000 -200是一种高性能砷化镓单片提供6位数字衰减器的衰减步长为0.5dB31.5分贝范围。它是适用于宽带通信,仪器仪表和电子战的使用应用。衰减器是免费0V/-5V或0/-8V信号控制线的应用程序来控制按照下面的真值表。通过修改控制线,实现全衰减范围组合。模具制造,使用建设部0.5mm栅极长度的MESFET制程(S20)。它是完全

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