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P2R5B52HP2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=2.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 525V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.2Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Power MOSFET

文件:260.35 Kbytes Page:4 Pages

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SHINDENGEN
更新时间:2025-8-5 23:00:00
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