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P2N2222ARL1G

Amplifier Transistors(NPN Silicon)

Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available*

ONSEMI

安森美半导体

P2N2222ARL1G

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线) 包装:散装 描述:TRANS NPN 40V 0.6A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

P2N2222ARL1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    P2N2222ARL1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 600mA 75V NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-6 23:00:00
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