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N-CHANNEL600V-4ohm-2.2ATO-220/TO-220FPPowerMesh?줚IMOSFET

•TYPICALRDS(on)=4Ω •EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY •100AVALANCHETESTED •NEWHIGHVOLTAGEBENCHMARK •GATECHARGEMINIMIZED DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.Thelayoutre finementsintroducedgreatlyimprove

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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更新时间:2025-5-19 17:11:01
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