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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 24A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 145mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and PFC Circuits

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isc N-Channel MOSFET Transistor

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E Series Power MOSFET with Fast Body Diode

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2025-10-15 20:00:01
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