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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns

Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha

NTE

SYSTEM RESET IC

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NJRC

日本无线

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P2102A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    P2102A

  • 制造商

    Advanced Micro Devices

  • 功能描述

    9102CPC

更新时间:2026-5-13 22:50:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
OTAX
23+
NA
20000
全新原装假一赔十
NTE
2450+
TO-3P
6540
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!
SANYO/三洋
22+
TO-3P
12245
现货,原厂原装假一罚十!
OTAX
DIP-3
35560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
NTE
23+
TO-3
39250
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
SANYO/三洋
24+
TO-3P
39197
郑重承诺只做原装进口现货
SANYO
26+
原厂原封装
86720
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
SANYO
24+
TO-3P
36500
原装现货/放心购买
NTE
23+
65480
原装
最新
TO-3P
8900
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询

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