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P1FE90VX3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=1A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 14Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve

ISC

无锡固电

P1FE90VX3

MOSFET

SHINDENGEN

P1FE90VX3

Power MOSFETs 900V, 1A, N-channel

文件:1.77914 Mbytes Page:7 Pages

SHINDENGEN

更新时间:2025-12-18 11:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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