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P1B52HP2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=1A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 525V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 7.2Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

ISC

无锡固电

P1B52HP2

Power MOSFET

文件:191.2 Kbytes Page:4 Pages

SHINDENGEN

P1B52HP2

Power MOSFETs SMD

SHINDENGEN

更新时间:2025-12-16 17:00:00
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