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P180FP6SN

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.002Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

P180FP6SN

MOSFET

SHINDENGEN

P180FP6SN

Power MOSFETs 60V, 180A, N-channel

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SHINDENGEN

Power MOSFET

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SHINDENGEN

MOSFET

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更新时间:2025-10-15 17:55:00
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