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P17F28HP2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 280V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.23Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

P17F28HP2

Power MOSFETs THD

SHINDENGEN

P17F28HP2

Power MOSFETs 280V, 17A, N-channel

文件:2.1631 Mbytes Page:8 Pages

SHINDENGEN

更新时间:2025-10-17 14:09:00
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