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P153FP6SNK

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=153A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
P153FP6SNK

PowerMOSFETs60V,153A,N-channel

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SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SHINDENGEN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=153A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.003Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

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PowerMOSFETs60V,153A,N-channel

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更新时间:2025-7-26 17:02:00
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PFC
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