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P126FP10SN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=126A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.0048Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
P126FP10SN

PowerMOSFETs100V,126A,N-channel

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SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD

新电元(上海)电器有限公司

SHINDENGEN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=126A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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PowerMOSFET

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更新时间:2024-6-7 20:17:00
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