| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
P10F60HP2 | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
P10F60HP2 | PowerMOSFET 文件：181.4 Kbytes Page：4 Pages | SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社 |  | |
更新时间：2025-7-27 8:30:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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