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P100FH4ENK

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
P100FH4ENK

PowerMOSFET

文件:457.17 Kbytes Page:4 Pages

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SHINDENGEN
更新时间:2025-8-2 23:00:00
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