| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
P0260EI | N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：812.38 Kbytes Page：8 Pages | UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司 |   | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor TO-251 Halogen-Free & Lead-Free | NIKOSEM 尼克森 | | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：808.25 Kbytes Page：8 Pages | UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司 | | ||
Power MOSFET | NIKOSEM 尼克森 | | ||
MOSFETs | UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司 | | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：735.98 Kbytes Page：8 Pages | UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司 | | ||
HIGH VOLTAGE FAST RECTIFIER DIODES & DIODES ARRAYS 文件：116.93 Kbytes Page：1 Pages | INTEGRAL Integral Corp. | | ||
Advanced Power MOSFET 文件：458.86 Kbytes Page：8 Pages | AUK | | ||
Advanced Power MOSFET 文件：455.93 Kbytes Page：8 Pages | AUK | | ||
Advanced Power MOSFET 文件：463.16 Kbytes Page：8 Pages | AUK | | ||
Advanced Power MOSFET 文件：364.65 Kbytes Page：8 Pages | AUK | |
P0260EI产品属性
- 类型
描述
- Configuration：
Single
- Type：
N
- Vds(±V)：
600
- Vgs(±V)：
30
- RDS(on)(mΩmax)at VGS=10V：
4.4
- VGS(th)(max V)：
4
- Ciss(pF)：
322
- Crss(pF)：
7
- Qg(nC)：
10.4
- Qgd(nC)：
4.4
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
尼克森NIKOS |
25+ |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
||||
尼克森(NIKOS) |
ROHS+Original |
原厂原封元件 |
25890 |
原装现货 库存特价/长期供应元器件代理经销 |
|||
N/A |
23+ |
TO251 |
54800 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
NIKO/尼克森微 |
26+ |
TO-251 |
786000 |
全新原装假一罚十 |
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属性 参数值 商品目录 放电管 直流击穿电压 25V 冲击电流 80A 精度 -
2020-10-30P0422NL,LTC485IS8,T7CV1D-12,HEF4017BT,SN74LS107
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P0102BL5AA4200V，200μA，160mASOT-23原装正品
2019-5-5
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